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SIS412DN-T1-GE3

發布時間:2022/8/18 11:31:00 訪問次數:55

類別
分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單個
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包裝
卷帶(TR)
剪切帶(CT)
Digi-Reel® 得捷定制卷帶
Product Status
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
30 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
12A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值)
24 毫歐 @ 7.8A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值)
12 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值)
435 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3.2W(Ta),15.6W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PowerPAK® 1212-8
封裝/外殼
PowerPAK® 1212-8
基本產品編號
SIS412

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