ISO7221ADR 接口IC
LM75CIM-5 其他IC
ADUC7039WBCPZ 其他電子管
TLV320AIC26IRHB
LCMX02-2000HC-4TG100C 其他被動元件
SN74HC164DR 邏輯IC
LT6654BHS6-2.5#TRPBF
ULN2003L 其他被動元件
VNLD5160TR-E 存儲IC
NZH12B,115 穩壓(齊納)二極管
NZH5V6B
CC1210KKX5R6BB226 陶瓷電容
TLE42644G 其他被動元件
TLE42644G
TLV1117-50
LP38692MP-1.8
AZ1117H-3.3TRG1
LM317LBDR2G 工控元件
BA7664AFV 其他被動元件
S9S08DZ60F2MLH 存儲IC
S9S08DZ60F2MLH 存儲IC
S9S08DZ96F2MLH
IMX172LQT-C 視覺、圖像傳感器
0438.500WR 熔斷保險絲
TPL5111DDCR 其他被動元件
NE555D 邏輯IC
TMK316AB7106KLHT 陶瓷電容
ATtiny13A-SSU 存儲IC
MDE10N026RH
AB26S
BTS724GXUMA1 其他被動元件
BA6427F 其他被動元件
THS7316D 貼片二極管
ADV7180BCPZ 邏輯IC
L79L05ABD13TR 其他被動元件
EL3H7(B)(TA)-G 光耦
IRFP150NPBF MOSFET或IGBT開關IC
EECF5R5U224 超級、法拉電容
AD2S1205WSTZ 其他被動元件
OPA2180IDR 運放IC
C3225X5R1A226KT000N 貼片電容
M95256-WMN6TP 工控元件
ACPL-C790-500E 放大器
ACPL-344JT-500E 光電耦合器
PCA82C250T
MAX17830GUN/V 其他被動元件
MAX17841BGUE/V
MAX17823BGCB/V+T
MC33172DR2G 運放IC
LM2904DR 運放IC
MPM38222GR
742G14LVC
74VHC74FT
74VHC393FT
NB637EL-LF-Z 工控元件
LMH0394SQ (E)/NOPB
IXFA22N65X2 其他三極管
AZ1117H-3.3TRG1 貼片三極管
STPS20H100CG 整流器件
LM258DR2G 通用運放
LPC1778FBD144 其他被動元件
39291187 手機連接器
MDP10N027TH
STM32F107RCT6 32位MCU
PSMN4R8-100BSE
參數名稱
參數值
Source Content uid PSMN4R8-100BSE
是否Rohs認證
符合
PSMN4R8-100BSE 生命周期 Transferred
PSMN4R8-100BSE Objectid 1277131467
PSMN4R8-100BSE 包裝說明 SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code unknown
ECCN代碼 EAR99
風險等級 8.33
雪崩能效等級（Eas） 542 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 100 V
最大漏極電流 (ID) 120 A
最大漏源導通電阻 0.0048 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代碼 R-PSSO-G2
濕度敏感等級 1
元件數量 1
端子數量 2
工作模式 ENHANCEMENT MODE
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大脈沖漏極電流 (IDM) 707 A
參考標準 IEC-60134
表面貼裝 YES
端子面層 PURE TIN
端子形式 GULL WING
端子位置 SINGLE
晶體管應用 S
晶體管元件材料 SILICON
PSMN4R8-100BSE
