BIDW30N60T BIDW20N60T BIDNW30N60H3 BIDW50N65T
Bourns® 絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 使用先進的溝槽柵場截止技術來更好地控制動態特性

Bourns的 BID 系列 IGBT 分立解決方案結合了 MOSFET 柵極技術和雙極型晶體管技術。該系列打造出一個專為高電壓和大電流應用而設計的元件。這些器件使用先進的溝槽柵場截止技術來更好地控制動態特性，從而降低了集電極-發射極飽和電壓 (VCE(sat))，減少了開關損耗。此外，由于采用了熱效率高的 TO-252、TO-247 和 TO-247N 封裝，這些器件可以提供更低的熱阻 (Rth(jc))，使其成為適用于開關模式電源 (SMPS)、不間斷電源 (UPS) 和功率因數校正 (PFC) 應用的 IGBT 解決方案。

特性 額定電壓：600 V 和 650 V 電流范圍：5 A 至 50 A 低 VCE(sat) 溝槽柵場截止技術 與快速恢復二極管 (FRD) 共同封裝 應用 SMPS UPS PFC 電感加熱 步進電機 逆變器