TW027N65C,S1FTW048N65C,S1FTW083N65C,S1FTW107N65C,S1FTW015N120C,S1F TW030N120C,S1FTW045N120C,S1FTW060N120C,S1FTW140N120C,S1F
Toshiba 的 SiC 是專為高效率電源應用而設計的技術

Toshiba的第三代 650 V 和 1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 專為 400 V 和 800 VAC輸入的 AC/DC 電源、光伏 (PV) 逆變器和用于不間斷電源 (UPS) 的雙向 DC/DC 轉換器等大功率工業應用而設計。

這些 MOSFET 有助于降低功耗并提高功率密度，因為 SiC 技術允許器件提供更高的耐壓、更快的開關和更低的導通電阻。Toshiba 的第三代芯片設計提供了增強的可靠性。該 650 V 產品具有 4,850 pF 輸入電容（CISS，典型值）、128 nC 低柵極輸入電荷（QG，典型值）和僅為 15 mΩ 的漏源導通電阻（RDS(ON)，典型值）。

此外，1,200 V 產品提供同樣低的 6000 pF 輸入電容（CISS，典型值）、158 nC 柵極輸入電荷（QG，典型值）和 15 mΩ 漏源導通電阻（RDS(ON)典型值）。

650 V 和 1,200 V SiC MOSFET 均采用行業標準的三引線 TO-247 封裝。

特性 低 RON、RONQgd Toshiba 從第 2 代到 3 代產品的 RON*Qgd 降低了 80% 極具競爭力的 RON*Qgd和開關性能 低 VF 內置肖特基勢壘二極管技術，提供超低 VF 采用更新的單元設計實現高可靠性 寬 VGSS額定值有助于提高設計可靠性并使設計更容易 VGSS：-10 V ~ 25 V（推薦：18 V） 低電阻和更高的柵極閾值電壓 (Vth) 有助于防止意外開啟等故障 應用 工業電機驅動 電池充電器 AC/DC 和 DC/DC 轉換器 功率因數校正電路 儲能系統 太陽能 不間斷電源