FDMS86101DC芯片此N溝道MOSFET采用飛兆半導體先進的Power Trench®工藝生產。FDMS86101DC該工藝融入了柵極屏蔽技術。先進的硅技術和Dual Cool™ 封裝技術完美融合，可在提供最小rDS(on)的同時通過極低的結至環境熱阻保持卓越的開關性能。
品牌：ON
封裝：SOP28
描述：MOSFET N-CH 100V 14.5A 8-PQFN
濕氣敏感性等級 （MSL）：1（無限）
原廠標準交貨期：28 周
詳細描述：表面貼裝型-N-通道-100V-14.5A（Ta）-60A（
數據列表：FDMS86101DC;
標準包裝：3,000
包裝：標準卷帶
零件狀態：有源
產品族：晶體管 - FET，MOSFET - 單個
系列：Dual Cool™, PowerTrench®
其它名稱：FDMS86101DC-ND
FET 類型：N 通道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：100V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：14.5A（Ta），60A（Tc）
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：3.2W（Ta），125W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
供應商器件封裝：Dual Cool™56
封裝/外殼：8-PowerTDFN
類型：分立半導體產品
型號：FDMS86101DC
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
單位重量: 90 mg
特性：
柵極屏蔽MOSFET技術
Dual Cool™頂側冷卻PQFN封裝
VGS = 10 V，ID = 14.5 A時，Max rDS(on)
= 7.5 mΩ
VGS = 6 V，ID = 11.5 A時，最大rDS(on) = 12mΩ
通態電阻rDS(on)
極低的高性能技術
100%經過UIL測試
符合RoHS標準
應用：DC-DC商用電源
BAV70LT1G
BAV99LT1G
BAT54LT1G
BS108ZL1G
BZX84C2V4LT1G
BZX84C33LT1G
BZX84C3V6LT1G
BZX84C15LT1G
BZX84C20LT1G
BZX84C27LT1G
BZX84C4V7LT1G
BZX84C62LT1G
BZX84C9V1LT1G
CAT824STDI-GT3
CAT25128VI-GT3
CS209AYD14
D44H11G
D45VH10G
EMH2604-TL-H
LB1848MC-AH
LM239DR2
LM239DR2G
LM285D-12R2G
LM2904DR2G
LM2904NG
LM324DR2
LM324DR2G
LM258DR2
LM258DR2G
LM2901DR2G
LM2902DR2G
LM317TG
LM317BTG
LM317D2TG
LM339DR2
LM393DR2G
LM2903DR2G
LP2950ACZ-50RAG
LM358DR2G
LV8111V-TLM-H
LV8731V-TLM-H
MC14069UBDR2G
MC14071BDR2G
MC14081BDR2
MC14081BDR2G
MC14081BDTR2G
MC14093BD
MC14093BDR2G
MC74ACT138D
MC74HC4066AD
MC74HC4538AD
MC74HC4538ADTR2G
MC74HC541ADW
MC74HC573ADW
MC14584BDR2G
MC74ACT253DR2
MC74ACT257DR2
MC74ACT259D
MC74ACT273DW
MC74ACT374DWR2
MBR10H100CTG
MBR10L60CT
MBR1545CTG
MBR20200CTG
MBR2060CT
MBR20H100CTG
MBR20L60CT
MBR2545CTG
MBRD835LT4G
MBRF20100CTG
MBRF2045CTG
MBRF2060CTG
MBRF20H100CTG
MBRF20H150CTG
MBRF20L80CTG
MBRJ20100CTG
MBRJ20H150CTG
MBRM130LT1G
MC14094BDR2
MC14094BDR2G
MC1413BDR2G
MBR3045CT
MBR3045PT
MBR30L60CT
MC14001BDR2G
