STL325N4LF8AG
STMicroelectronics 的 MOSFET 采用 STripFET F8 溝槽 MOSFET 技術制造
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STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 汽車 MOSFET 圖片" class="right" src="https://www.digikey.cn/-/media/Images/Product%20Highlights/S/STMicroelectronics/STL320N4LF8%20and%20STL325N4LF8AG%20Automotive%20MOSFETs/stmicroelectronics-STL320N4LF8-stl325n4lf8ag-automotive-mosfets.jpg?la=en&ts=01eb8a01-476d-4d78-a46a-cb7b7a62cc86" title="STMicroelectronics STL320N4LF8 and STL325N4LF8AG Automotive MOSFETs" style="--tw-shadow:0 0 #0000;float:right;margin:0px 0px 10px 15px;max-width:100%;height:174px;width:200px;" />STMicroelectronics的 STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 是首批采用 STripFET F8 溝槽 MOSFET 技術制造的器件，完全符合工業級標準。通過降低導通電阻和開關損耗，同時優化體漏二極管特性，40 V MOSFET 可節省能源，并能確保電源轉換和電機控制電路具有低噪聲。
特性
出色的體漏二極管柔軟度
低輸出電容和串聯電阻
低柵漏電荷
緊密的柵極閾值電壓分布
極高的電流能力
優勢
低噪聲
關斷時漏源電壓的低尖峰和短振蕩時間
快速關斷和低開關損耗
輕松并聯
高短路穩健性
