制造商: Vishay
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 20 V
Id-連續漏極電流: 6 A
Rds On-漏源導通電阻: 24 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 8 V, + 8 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 4.5 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 2 W
通道模式: Enhancement
商標名: TrenchFET
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Vishay / Siliconix
下降時間: 9 ns
產品類型: MOSFET
上升時間: 8 ns
系列: SQ
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 21 ns
典型接通延遲時間: 7 ns
零件號別名: SQ2310ES-T1_GE3