英飛凌模塊BSM50GB120DN2，特價進口正品供應
型號：BSM50GB120DN2
BSM50GB120DN2 產品性能參數
制造商 Infineon
產品種類 IGBT 模塊
產品 IGBT Silicon Modules 配置 Half Bridge Module
集電極—發射極最大電壓 VCEO 1200 V 集電極—射極飽和電壓 2.5 V
在25 C的連續集電極電流 78 A 柵極—射極漏泄電流 200 nA
功率耗散 400 W
最大工作溫度 + 150 C
訂購熱線：0755-28115461轉601 手機13066878252
聯 系 人：向小姐 QQ:1301889392
