類別
分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單個
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包裝
卷帶（TR）
剪切帶（CT）
Product Status
在售
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
30 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
2A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
80 毫歐 @ 2A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
2V @ 11μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）
5 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
500 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
500mW（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-SOT23
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本產品編號
BSS308
TLE42644G
LM2903YPT
LT3990IMSE#TRPBF
TJA1042T/1J
S912XET256W1MAA
LTC6804HG-1#3MHPBF
ISO7320CQDRQ1
BSS83P
