IPW60R099P6XKSA1

類別
分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單個
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™ P6
包裝
管件
Product Status
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
600 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
37.9A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
99 毫歐 @ 14.5A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 1.21mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）
70 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
3330 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
278W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
PG-TO247-3
封裝/外殼
TO-247-3
基本產品編號
IPW60R099

IDH0865C6
IKW75N60T
IKW75N65ES5
BSC014N04LS
BSC100N06LS3G