制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™
包裝
管件
Product Status
不適用于新設計
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
800 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
11A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
450 毫歐 @ 7.1A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
3.9V @ 680μA
不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)（最大值）
85 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
1600 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
156W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
PG-TO247-3-1
封裝/外殼
TO-247-3
基本產品編號
SPW11N80
