STQ1HNK60R-AP

制造商: STMicroelectronics
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-92-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 600 V
Id-連續漏極電流: 400 mA
Rds On-漏源導通電阻: 8.5 Ohms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.25 V
Qg-柵極電荷: 10 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 30 W
通道模式: Enhancement
封裝: Ammo Pack
商標: STMicroelectronics
配置: Single
下降時間: 25 ns
高度: 4.95 mm
長度: 4.95 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 5 ns
系列: STQ1HNK60R
工廠包裝數量: 2000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 19 ns
典型接通延遲時間: 6.5 ns
寬度: 3.94 mm
單位重量: 453.600 mg