類別
分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單個
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolSiC™
包裝
管件
Product Status
在售
FET 類型
N 通道
技術
SiCFET（碳化硅）
漏源電壓（Vdss）
1200 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
26A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
15V，18V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
117 毫歐 @ 8.5A，18V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5.7V @ 3.7mA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）
21 nC @ 18 V
Vgs（最大值）
+23V，-7V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
707 pF @ 800 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
115W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
PG-TO247-3-41
封裝/外殼
TO-247-3
基本產品編號
IMW120
C2M1000170J WOLFSPEED 21+
SI3401AHE3-TP MCC 21+
IPB120P04P4-04 Infineon 21+
BUK6D120-60P NXP 21+
UT4421G-SO8-R UTC 21+
