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PXN8R3-30QLJ

發布時間:2022/9/6 15:34:00 訪問次數:56 發布企業:深圳市科雨電子有限公司

PXN8R3-30QLJ制造商: Nexperia
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT8002-1-8
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 18.3 A
Rds On-漏源導通電阻: 11.1 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 30 V, + 30 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.2 V
Qg-柵極電荷: 7.7 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 4.3 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Nexperia
配置: Single
下降時間: 3 ns
正向跨導 - 最小值: 25 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 8 ns
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
典型關閉延遲時間: 6 ns
典型接通延遲時間: 5 ns
零件號別名: 934661598118
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文件 (1)

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