製造商: Infineon
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: SiC
安裝風格: Through Hole
封裝/外殼: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 650 V
Id - C連續漏極電流: 35 A
Rds On - 漏-源電阻: 74 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 5 V, + 23 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 5.7 V
Qg - 閘極充電: 28 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 175 C
Pd - 功率消耗 : 133 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
品牌: Infineon Technologies
產品類型: MOSFET
原廠包裝數量: 240
子類別: MOSFETs
零件號別名: IMW65R057M1H SP005423801