類別
分立半導體產品
晶體管 - FET,MOSFET - 單個
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包裝
卷帶(TR)
剪切帶(CT)
Product Status
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)
80 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
100A(Tc)
驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On)
6V,10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值)
3 毫歐 @ 50A,10V
不同 Id 時 Vgs(th)(最大值)
3.8V @ 95μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(最大值)
76 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值)
5600 pF @ 40 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),139W(Tc)
工作溫度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-TDSON-8-7
封裝/外殼
8-PowerTDFN
基本產品編號
BSC030
XMC4800-F144K2048 AA
MCP1703AT-5002E/MC
MCP2561T-E/SN
SPP17N80C3
R5F2134CWJFP