類別
分立半導體產品
晶體管 - FET，MOSFET - 單個
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包裝
管件
Product Status
在售
FET 類型
N 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
100 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
100A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
4.5 毫歐 @ 100A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 150μA
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）
117 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
8410 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
214W（Tc）
工作溫度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
PG-TO220-3
封裝/外殼
TO-220-3
基本產品編號
IPP045
ADM3202ARUZ-REEL7 21+
AD9874ABST 21+
PEX8648-BB50RBC G 21+
S29AL016J70TFI010 21+
PDS760Q-13 21+
FT232HL-REEL 21+
SAK-TC234L-32F200N AC 21+
