制造商: ROHM Semiconductor
產品種類: MOSFET
發貨限制:
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RoHS: 詳細信息
技術: SiC
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-247N-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 750 V
Id-連續漏極電流: 56 A
Rds On-漏源導通電阻: 26 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 4 V, + 21 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4.8 V
Qg-柵極電荷: 94 nC
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 176 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
商標: ROHM Semiconductor
下降時間: 16 ns
正向跨導 - 最小值: 16 S
產品類型: MOSFET
上升時間: 39 ns
工廠包裝數量: 450
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 44 ns
典型接通延遲時間: 10 ns
SCT4026DEHRC11
發布時間:2022/9/9 9:44:00 訪問次數:42