描述：STM32F105VCT6
STM32F105VCT6和 STM32F107xx 連接線系列包含以 72 MHz 頻率運行的高性能 ARM® Cortex®-M3 32 位 RISC 內核、高速嵌入式存儲器（高達 256 KB 的閃存和 64 KB 的 SRAM），以及
連接到兩條 APB 總線的各種增強型 I/O 和外圍設備。全部器件提供兩個 12 位 ADC、四個通用 16 位定時器和一個 PWM 定時器，以及作為標準和高級通信接口：最多兩個 I2C、三個 SPI、兩個 I2S、五個 USART、一個 USB OTG FS 和兩個 CAN。以太網在 STM32F107xx 上可用只要。
STM32F105VCT6和 STM32F107xx 連接線系列在 –40 至+105 °C 溫度范圍，2.0 至 3.6 V 電源。一套全面的省電模式允許設計低功耗應用。
STM32F105VCT6和 STM32F107xx 連接線系列提供三種器件不同的封裝類型：從 64 引腳到 100 引腳。根據選擇的設備，包括不同的外圍設備，下面的描述概述了該系列中提議的全系列外設。這些特性使STM32F105VCT6和 STM32F107xx 連接線微控制器系列適用于廣泛的應用，如電機驅動和應用控制、醫療和手持設備、工業應用、PLC、逆變器、打印機和掃描儀、警報系統、視頻對講機、暖通空調和家庭音響設備。


特征：STM32F105VCT6
• 內核：ARM® 32 位 Cortex®-M3 CPU
– 72 MHz 最大頻率，1.25
DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1) 性能
在 0 等待狀態內存訪問
– 單周期乘法和硬件除法
• 回憶
– 64 至 256 KB 的閃存
– 64 KB 通用 SRAM
• 時鐘、復位和電源管理
– 2.0 至 3.6 V 應用電源和 I/O
– POR、PDR 和可編程電壓
檢測器 (PVD)
– 3 至 25 MHz 晶體振蕩器
– 內部 8 MHz 工廠微調 RC
– 帶校準的內部 40 kHz RC
– 32 kHz 振蕩器，用于帶校準的 RTC
• 低電量
– 睡眠、停止和待機模式
– RTC 和備份寄存器的 VBAT 電源
• 2 × 12 位、1 μs A/D 轉換器（16 通道）
– 轉換范圍：0 至 3.6 V
– 采樣和保持能力
- 溫度感應器
– 在交錯模式下高達 2 MSPS
• 2 × 12 位 D/A 轉換器
• DMA：12 通道 DMA 控制器
– 支持的外設：定時器、ADC、DAC、
I2S、SPI、I2C 和 USART
• 調試模式
– 串行線調試 (SWD) 和 JTAG 接口
– Cortex®-M3 嵌入式跟蹤宏單元™
• 多達 80 個快速 I/O 端口
– 51/80 I/O，全部可映射到 16 個外部
中斷向量和幾乎所有 5 V 容錯
• CRC 計算單元，96 位唯一 ID
• 多達 10 個具有引腳重新映射功能的定時器
– 最多四個 16 位定時器，每個定時器最多 4 個
I2C/OC/PWM 或脈沖計數器和
正交（增量）編碼器輸入
– 1 × 16 位電機控制 PWM 定時器，帶
死區時間生成和緊急停止
– 2 × 看門狗定時器（獨立和
窗戶）
– SysTick 計時器：24 位遞減計數器
– 2 × 16 位基本定時器來驅動 DAC
• 多達 14 個帶引腳分配的通信接口
重映射能力
– 多達 2 × I2C 接口（SMBus/PMBus）
– 多達 5 個 USART（ISO 7816 接口、LIN、
IrDA 功能，調制解調器控制）
– 多達 3 個 SPI (18 Mbit/s)，2 個帶有
提供音頻的多路復用 I2S 接口
通過高級 PLL 方案的分類精度
– 2 × CAN 接口（2.0B Active），帶 512
專用 SRAM 的字節數
– USB 2.0 全速設備/主機/OTG 控制器
具有支持 HNP/SRP/ID 的片上 PHY
帶有 1.25 KB 的專用 SRAM
– 具有專用 DMA 的 10/100 以太網 MAC
和 SRAM（4 KB）：IEEE1588 硬件
支持，MII/RMII 適用于所有封裝

制造商: STMicroelectronics
產品種類: ARM微控制器 - MCU
RoHS: 詳細信息
系列:STM32F105VCT6
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: LQFP-100
核心: ARM Cortex M3
程序存儲器大小: 256 kB
數據總線寬度: 32 bit
ADC分辨率: 12 bit
最大時鐘頻率: 72 MHz
輸入/輸出端數量: 80 I/O
數據 RAM 大小: 64 kB
工作電源電壓: 2 V to 3.6 V
最小工作溫度: - 40 C
最大工作溫度: + 85 C
封裝: Tray
高度: 1.4 mm
長度: 14 mm
程序存儲器類型: Flash
寬度: 14 mm
商標: STMicroelectronics
數據 Ram 類型: SRAM
接口類型: CAN, I2C, SPI, USART
濕度敏感性: Yes
ADC通道數量: 16 Channel
計時器/計數器數量: 10 Timer
處理器系列: ARM Cortex M
產品類型: ARM Microcontrollers - MCU
工廠包裝數量: 540
子類別: Microcontrollers - MCU
電源電壓-最大: 3.6 V
電源電壓-最小: 2 V
商標名: STM32
單位重量: 1.319 g

以下物料均有現貨庫存：STM32F105VCT6
STM32F101RBT6
STM32F103CBT6
STM32F103C8T6
STM32F103R8T6
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STM32F107RCT6
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STM32F100C4T6B
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上周中芯國際發布了Q3季度財報，不僅業績、利潤大漲，生產連續性已經基本穩定，成熟工藝擴產有序推進，整體擴產進度如期達成；先進工藝業務穩步提升。針對備受關注的14nm及以下的FinFET先進工藝情況，中芯國際聯席CEO趙海軍表示，客戶拓展與多元化產品儲備效應進一步顯現，FinFET部分流片項目陸續進入量產，產能利用率繼續提高。

趙海軍表示，長期來看，智能手機、數據交互處理、工業電子等多方面應用都對FinFET技術有巨大的需求，我們會在條件具備的情況下，根據客戶的需求進行擴產。

根據中芯國際的報告，Q3季度中FinFET及28nm工藝在內的先進工藝營收占比18.2%，去年同期是14.6%，上一季度14.5%，現在已經是中芯國際第三大營收來源，先進工藝占比不斷提升。

Q3季度，中芯國際運營收入92.8億元，同比增長21.5%，實現凈利潤20.77億元，同比增長22.6%，前三季度實現凈利潤73.18億元，同比增長137.6%。