STP30NF10
參數名稱 參數值
Source Content uid STP30NF10
Brand Name STMicroelectronics
生命周期 Active
Objectid 1939891037
零件包裝代碼 TO-220AB
包裝說明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
針數 3
Reach Compliance Code not_compliant
Country Of Origin Mainland China
ECCN代碼 EAR99
Factory Lead Time 53 weeks 1 day
風險等級 1.59
Samacsys Description STP30NF10, N-channel MOSFET Transistor 35 A 100 V, 3-Pin TO-220
Samacsys Manufacturer STMicroelectronics
Samacsys Modified On 2022-07-08 14:47:23
YTEOL 5.45
其他特性 AVALANCHE RATED
雪崩能效等級（Eas） 275 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 100 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 35 A
最大漏極電流 (ID) 35 A
最大漏源導通電阻 0.045 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼 TO-220AB
JESD-30 代碼 R-PSFM-T3
JESD-609代碼 e3
元件數量 1
端子數量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 175 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 FLANGE MOUNT
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 115 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 140 A
認證狀態 Not Qualified
子類別 FET General Purpose Power
表面貼裝 NO
端子面層 TIN
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON