STP13NM60N
參數名稱 參數值
Source Content uid STP13NM60N
Brand Name STMicroelectronics
生命周期 Active
Objectid 2103738250
零件包裝代碼 TO-220AB
包裝說明 FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
針數 3
Reach Compliance Code not_compliant
Country Of Origin Mainland China
ECCN代碼 EAR99
Factory Lead Time 52 weeks
風險等級 2.18
Samacsys Description STP13NM60N, N-channel MOSFET Transistor, 11 A 600 V, 3-Pin TO-220
Samacsys Manufacturer STMicroelectronics
Samacsys Modified On 2022-07-08 14:47:23
YTEOL 6.15
雪崩能效等級（Eas） 200 mJ
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 600 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 11 A
最大漏極電流 (ID) 11 A
最大漏源導通電阻 0.36 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼 TO-220AB
JESD-30 代碼 R-PSFM-T3
JESD-609代碼 e3
元件數量 1
端子數量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 150 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 FLANGE MOUNT
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 90 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 44 A
認證狀態 Not Qualified
子類別 FET General Purpose Power
表面貼裝 NO
端子面層 MATTE TIN
端子形式 THROUGH-HOLE
端子位置 SINGLE
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON