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功率場效應晶體管 AONS62614原裝正品22+現貨

發布時間:2022/9/21 14:07:00 訪問次數:59

參數名稱 參數值
是否Rohs認證 符合符合
生命周期 Active
Objectid 8363050423
包裝說明 SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5
Reach Compliance Code unknown
Country Of Origin Mainland China
ECCN代碼 EAR99
Date Of Intro 2019-10-22
風險等級 7.72
Samacsys Description N-Channel 60V 39A (Ta), 100A (Tc) 7.5W (Ta), 142W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)
Samacsys Manufacturer Alpha & Omega Semiconductors
Samacsys Modified On 2021-09-16 08:46:32
YTEOL 5.67
雪崩能效等級(Eas) 265 mJ
外殼連接 DRAIN
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 60 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 100 A
最大漏極電流 (ID) 100 A
最大漏源導通電阻 0.0034 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代碼 R-PDSO-F5
元件數量 1
端子數量 5
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 150 °C
最低工作溫度 -55 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度(攝氏度) NOT SPECIFIED
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 119 W
最大脈沖漏極電流 (IDM) 320 A
表面貼裝 YES
端子形式 FLAT
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間 NOT SPECIFIED
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON
參數規格與技術文檔 全部數據手冊技術文檔 全部 全部 數據手冊 技術文檔 下載: AONS62614 Alpha & Omega Semiconductor 相關器件

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