DMN3110S-7

制造商: Diodes Incorporated
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: SOT-23-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 30 V
Id-連續漏極電流: 3.3 A
Rds On-漏源導通電阻: 73 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1 V
Qg-柵極電荷: 8.6 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 740 mW
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Diodes Incorporated
配置: Single
下降時間: 2.5 ns
正向跨導 - 最小值: 4.8 mS
產品類型: MOSFET
上升時間: 4.6 ns
系列: DMN31
工廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
典型關閉延遲時間: 13.1 ns
典型接通延遲時間: 2.6 ns
單位重量: 8 mg