NCEP1580D采用了獨特優化的超級溝槽技術，以提供最高效的高頻開關性能。由于RDS（ON）和Qg的極低組合，傳導和開關功率損耗都最小化。該裝置適用于高頻開關和同步整流。
特征
VDS=150V，ID=80A
RDS（ON）<12.5mΩ@VGS=10V
優秀的柵極電荷xRDS（on）產品（FOM）
極低導通電阻RDS（on）
175°C工作溫度
無鉛電鍍
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NCEP1580D
發布時間:2022/10/7 9:12:00 訪問次數:78 發布企業:深圳市晨豪科技有限公司
NCEP1580DTO-263NCEN溝道超級溝道功率MOSFET
NCEP1580D采用了獨特優化的超級溝槽技術，以提供最高效的高頻開關性能。由于RDS（ON）和Qg的極低組合，傳導和開關功率損耗都最小化。該裝置適用于高頻開關和同步整流。
特征
VDS=150V，ID=80A
RDS（ON）<12.5mΩ@VGS=10V
優秀的柵極電荷xRDS（on）產品（FOM）
極低導通電阻RDS（on）
175°C工作溫度
無鉛電鍍
NCEP1580D采用了獨特優化的超級溝槽技術，以提供最高效的高頻開關性能。由于RDS（ON）和Qg的極低組合，傳導和開關功率損耗都最小化。該裝置適用于高頻開關和同步整流。
特征
VDS=150V，ID=80A
RDS（ON）<12.5mΩ@VGS=10V
優秀的柵極電荷xRDS（on）產品（FOM）
極低導通電阻RDS（on）
175°C工作溫度
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