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IPB042N10N3GATMA1

發布時間:2022/10/8 15:27:00 訪問次數:82

類型 描述 選擇


類別 分立半導體產品 晶體管 - FET,MOSFET - 單個


制造商 Infineon Technologies


系列 OptiMOS™


包裝 卷帶(TR)

剪切帶(CT)

Digi-Reel® 得捷定制卷帶


產品狀態 在售


FET 類型 N 通道


技術 MOSFET(金屬氧化物)


漏源電壓(Vdss) 100 V


25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 100A(Tc)


驅動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) 6V,10V


不同 Id、Vgs 時導通電阻(最大值) 4.2 毫歐 @ 50A,10V


不同 Id 時 Vgs(th)(最大值) 3.5V @ 150μA


不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)(最大值) 117 nC @ 10 V


Vgs(最大值) ±20V


不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(最大值) 8410 pF @ 50 V


FET 功能 -


功率耗散(最大值) 214W(Tc)


工作溫度 -55°C ~ 175°C(TJ)


安裝類型 表面貼裝型


供應商器件封裝 PG-TO263-3


封裝/外殼 TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB


基本產品編號 IPB042


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