Source Content uid NTR4503NT1G
Brand Name ON Semiconductor
是否無鉛
不含鉛
生命周期 Active
Objectid 2000366766
零件包裝代碼 SOT-23
包裝說明 CASE 318-08, 3 PIN
針數 3
制造商包裝代碼 318-08
Reach Compliance Code compliant
Country Of Origin Mainland China
ECCN代碼 EAR99
Factory Lead Time 69 weeks
風險等級 0.78
Samacsys Description Power MOSFET
Samacsys Manufacturer onsemi
Samacsys Modified On 2018-08-06 15:40:11
YTEOL 6.98
配置 SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓 30 V
最大漏極電流 (Abs) (ID) 1.5 A
最大漏極電流 (ID) 1.5 A
最大漏源導通電阻 0.11 Ω
FET 技術 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反饋電容 (Crss) 25 pF
JEDEC-95代碼 TO-236
JESD-30 代碼 R-PDSO-G3
JESD-609代碼 e3
濕度敏感等級 1
元件數量 1
端子數量 3
工作模式 ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度 150 °C
封裝主體材料 PLASTIC/EPOXY
封裝形狀 RECTANGULAR
封裝形式 SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度） 260
極性/信道類型 N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 0.73 W
認證狀態 Not Qualified
子類別 FET General Purpose Power
表面貼裝 YES
端子面層 MATTE TIN
端子形式 GULL WING
端子位置 DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間 30
晶體管應用 SWITCHING
晶體管元件材料 SILICON
