產品相片 14-SOIC
設計資源 Create your power design now with TI’s WEBENCH® Designer
標準包裝 2,500
類別 集成電路 (IC)
家庭 Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps
系列 -
包裝 帶卷 (TR)
放大器類型 電壓反饋
電路數 4
輸出類型 滿擺幅
壓擺率 150 V/µs
增益帶寬積 100MHz
-3db 帶寬 250MHz
電流 - 輸入偏置 3pA
電壓 - 輸入失調 2mV
電流 - 電源 4.9mA
電流 - 輸出/通道 100mA
電壓 - 電源，單/雙 (±) 2.5 V ~ 5.5 V，±1.25 V ~ 2.75 V
工作溫度 -40°C ~ 125°C
安裝類型 表面貼裝
封裝/外殼 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應商器件封裝 14-SOIC
LTE已然邁入“高鐵”時代，全球LTE的布網速度不斷加快。TD-LTE在全球產業鏈中正逐步形成并擴大，目前已經包括了超過10家系統設備廠商、超過18家芯片廠商、10余家測試設備廠商，以及50多家終端廠商。中移動宣布，今年將投入417億元開發4G技術。而中國移動采購與招標網于6月20日發布的公告揭開了超200億元4G設備招標的序幕，表明中國移動要上4G，而且要今年上，這是基本確定的了。有預測，聯通和電信也將LTE作為今年推廣重點，相關牌照將會同步發放。2013年，對LTE的發展來說，將會是夢想步入現實的一年。正如高通公司高級副總裁兼大中華區首席運營官Jeff Lorbeck所預測的，從今年到2017年，LTE產品將有70%的年復合增長率，這將是近年來成長異常迅猛的技術之一。
眾所周知，在LTE終端芯片方面，多模多頻、功耗和成熟度、高集成度是芯片的重要門檻和難點。劉光軍提到，在技術及工藝上主要有以下幾大發展趨勢：一是多模多頻：終端芯片需要支持LTE-FDD、TDD-LTE等多種移動通信制式，支持通信頻段從FDD Band 1到FDD Band 25，TDD Band 33到TDD Band 44，數量繁多;支持頻率從700MHz到3.5GHz，跨度巨大。二是芯片計算、圖形、多媒體處理能力要求逐步提高，CPU頻率從1GHz向2GHz演進，由單核向多核演進，圖形處理由純3D/2D圖形加速，向輔助計算演進。同時，又要確保用戶的使用時長。三是集成度、成本、功耗和性能聯合推動LTE芯片加速向20nm甚至更先進工藝演進，同時要求更先進的封裝技術。“同時，單芯片SoC、系統級封裝也有助于實現芯片套片的小型化，進一步實現成本下降。”劉光軍進一步指出。
