NTHL060N065SC1

類別
分立半導體產品
晶體管-FET，MOSFET-單個
制造商
onsemi
系列
-
包裝
管件
產品狀態
在售
FET類型
N通道
技術
SiCFET（碳化硅）
漏源電壓（Vdss）
650V
25°C時電流-連續漏極(Id)
47A（Tc）
驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）
15V，18V
不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）
70毫歐@20A，18V
不同Id時Vgs(th)（最大值）
4.3V@6.5mA
不同Vgs時柵極電荷(Qg)（最大值）
74nC@18V
Vgs（最大值）
+22V，-8V
不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）
1473pF@325V
FET功能
-
功率耗散（最大值）
176W（Tc）
工作溫度
-55°C~175°C（TJ）
安裝類型
通孔
供應商器件封裝
TO-247-3
封裝/外殼
TO-247-3