FGH4L40T120LQD

類別
分立半導體產品
晶體管-UGBT、MOSFET-單
制造商
onsemi
系列
-
包裝
管件
產品狀態
在售
IGBT類型
溝槽型場截止
電壓-集射極擊穿（最大值）
1200V
電流-集電極(Ic)（最大值）
80A
電流-集電極脈沖(Icm)
160A
不同Vge、Ic時Vce(on)（最大值）
1.8V@15V，40A
功率-最大值
306W
開關能量
1.04mJ（開），1.35mJ（關）
輸入類型
標準
柵極電荷
227nC
25°C時Td（開/關）值
42ns/218ns
測試條件
600V，40A，10歐姆，15V
反向恢復時間(trr)
59ns
工作溫度
-55°C~175°C（TJ）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-4
供應商器件封裝
TO-247-4L