BSM75GD120DN2詳請描述

BSM75GD120DN2 產品屬性

制造商 Infineon

產品種類 IGBT 模塊
產品 IGBT Silicon Modules

配置 Hex
集電極—發射極最大電壓 VCEO 1200 V 集電極—射極飽和電壓 2.5 V
在25 C的連續集電極電流 103 A 柵極—射極漏泄電流 320 nA
功率耗散 520 W 最大工作溫度 + 150 C
封裝 / 箱體 EconoPACK 3A 柵極/發射極最大電壓 20 V
安裝風格 Screw

訂購熱線：0755-28115461轉601 手機13066878252

聯 系 人：向小姐 QQ:1301889392