STP110N8F6,MOSFETN-channel80V,0.0056Ohmtyp110A,STripFETF6PowerMOSFET.
技術: Si
安裝風格: ThroughHole
封裝/箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 80V
Id-連續漏極電流: 110A
RdsOn-漏源導通電阻: 6.5mOhms
Vgs-柵極-源極電壓: -20V,+20V
Vgsth-柵源極閾值電壓: 2.5V
Qg-柵極電荷: 150nC
最小工作溫度: -55C
最大工作溫度: +175C
Pd-功率耗散: 200W
通道模式: Enhancement
商標名: STripFET
商標: STMicroelectronics
配置: Single
下降時間: 48ns
高度: 15.75mm
長度: 10.4mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 61ns
系列: STP110N8F6
1000個一盒
MOSFETs
晶體管類型: 1N-ChannelPowerMOSFET
典型關閉延遲時間: 162ns
典型接通延遲時間: 24ns
寬度: 4.6mm
單位重量: 2g
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