737107-1_TYC導讀

ADI 采用硅技術的新型高功率開關為 RF 設計人員和系統架構師提供了提高其系統復雜度的靈活性，且不會讓 RF 前端成為其設計瓶頸。

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對于本輪半導體周期調整，多位業內人士表示，鑒于全球經濟還處于復蘇期，半導體與之共振需求恢復可能還需要一段時間，不排除后續更多芯片品類繼續有小幅的價格回調。

ADI 采用硅技術的新型高功率開關專為簡化 RF 前端設計而研發，免除外圍電路的需要并將功耗降至可忽略不計的水平。ADI 采用硅技術的新型高功率開關為 RF 設計人員和系統架構師提供了提高其系統復雜度的靈活性，且不會讓 RF 前端成為其設計瓶頸。

因此，自動駕駛領域的導航系統精度無法只通過高精度衛星來保障，基于MEMS傳感器技術的慣性測量單元(IMU)才是保障自動駕駛的最后一道屏障。

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在特高壓輸電領域，亟需解決能源從發電到用電的傳輸安全與穩定難題。新興的能源物聯網正給傳統電網注入“新動能”，助力電網向智能電網的升級。

它們依靠單 5 V 電源供電運行，偏置電流小于 1 mA，并且不需要外部組件或接口電路。ADI 的新款高功率硅開關更適合大規模 MIMO 設計。

ADI 基于長期積累的汽車電氣化廣泛經驗，通過提供更低排放、更高效率、更高可靠性和安全性的解決方案，讓電池管理、動力總成和信息娛樂等系統保持高性能的同時變得更小、更輕、更可靠，推動更環保高效的未來汽車早日落地。新基建解決了充電基礎設施的短缺, 同時在環保需求與政策利好的刺激下，新能源車在2020年迎來普及潮。

N型MOS管應用的場景更多，相比于比P型MOS管，其優點如下 1、開關速度更快 2、耐壓更高 3、通過的電流更大下面是N型MOS管的一個簡單的引用電路，當G端通入高電平，MOS管D、S間導通，此時MOS管導通，電機的電流得以通過，電機轉動。。當G端為低電平的時候，D、S間無法導通，電機也就無法運行。

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這款3.3 V電源電壓產品包括3個基于ADXL1002的測量鏈、1個溫度傳感器、1個處理器和1個FIFO。

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