製造商: STMicroelectronics
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: SiC
安裝風格: ThroughHole
封裝/外殼: HiP-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1Channel
Vds-漏-源擊穿電壓: 650V
Id-C連續漏極電流: 45A
RdsOn-漏-源電阻: 67mOhms
Vgs-閘極-源極電壓: -10V,+22V
Vgsth-門源門限電壓: 5V
Qg-閘極充電: 73nC
最低工作溫度: -55C
最高工作溫度: +200C
Pd-功率消耗: 240W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
品牌: STMicroelectronics
產品類型: MOSFET
600
子類別: MOSFETs
每件重量: 6.100g
SCTWA35N65G2V
發布時間:2022/10/25 17:01:00 訪問次數:57
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