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SCT3022ALGC11

發布時間:2022/10/25 17:11:00 訪問次數:63

SCT3022ALGC11

製造商: ROHMSemiconductor
產品類型: MOSFET
RoHS: 詳細資料
技術: SiC
安裝風格: ThroughHole
封裝/外殼: TO-247-3
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1Channel
Vds-漏-源擊穿電壓: 650V
Id-C連續漏極電流: 93A
RdsOn-漏-源電阻: 22mOhms
Vgs-閘極-源極電壓: -4V,+22V
Vgsth-門源門限電壓: 5.6V
Qg-閘極充電: 133nC
最低工作溫度: -55C
最高工作溫度: +175C
Pd-功率消耗: 339W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
品牌: ROHMSemiconductor
配置: Single
下降時間: 35ns
互導-最小值: 12.2S
產品類型: MOSFET
上升時間: 53ns
系列: SCT3x
450
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1N-Channel
標準斷開延遲時間: 61ns
標準開啟延遲時間: 25ns
零件號別名: SCT3022AL
每件重量: 6g

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