Microchip 的TN2130 低閾值、增強模式（常關）晶體管采用垂直 DMOS 結構和久經考驗的硅柵制造工藝。這種組合產生的器件具有雙極晶體管的功率處理能力以及 MOS 器件固有的高輸入阻抗和正溫度系數。該設備沒有熱失控和熱引起的二次擊穿。垂直 DMOS FET 非常適合需要低閾值電壓、高擊穿電壓、高輸入阻抗、低輸入電容和快速開關速度的各種開關和放大應用。
TN2130K1-G MOSFET
發布時間:2022/10/27 11:12:00 訪問次數:55 發布企業:深圳市鑫遠鵬科技有限公司
TN2130 MOSFET
Microchip 的 TN2130 是一款 300 V 25 Ω N 溝道增強模式 MOSFET
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