HMC349AMS8G是一種砷化鎵（GaAs）、偽態高電子遷移率晶體管（PHEMT）、單極雙擲（SPDT）開關，規定為100MHz至4GHz。
HMC349AMS8G具有57 dB的高隔離度、0.9 dB的低插入損耗、52 dBm的高輸入IP3和34 dBm高輸入P1dB，非常適合蜂窩基礎設施應用。
HMC349AMS8G在3V至5V的單正電源電壓下工作，并提供CMOS/TTL兼容控制接口。
HMC349AMS8G采用8引線迷你小外形封裝，帶有外露焊盤。
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