PCDP08120G1_T0_00001PCDP20120G1_T0_00001PCDP1265G1_T0_00001PCDP1065G1_T0_00001PCDP1665G1_T0_00001

PCDP10120G1_T0_00001PCDP0465G1_T0_00001 PCDP0865G1_T0_00001 PCDP2065G1_T0_00001PCDP0665G1_T0_00001

PCDP15120G1_T0_00001PCDD10120G1_L2_00001PCDB0465G1_T0_00001PCDD0665G1_L2_00001PCDD0865G1_L2_00001

PCDB20120G1_T0_00001PCDD0465G1_L2_00001PCDB10120G1_T0_00001PCDD05120G1_L2_00001

第一代碳化硅 (SiC) 肖特基勢壘二極管 (SBD) 專為電氣工程師設計熱耗散更低，而性能更高的系統而開發。快速恢復二極管 (FRD) 在關斷操作時有一些反向恢復電流，當主開關打開時會產生額外的開關損耗。相比之下，肖特基勢壘二極管沒有反向恢復電流，因此可以在更高的開關頻率下使用，但它的缺點是由于漏電較高，因而擊穿電壓較低

SiC 器件具有比硅器件更高的帶隙能量，這意味著漏電電流非常低。SiC 器件還具有更高的電子速度，這帶來了優于硅器件的開關性能。

PANJIT 的 SiC SBD 第一代器件經過優化，正向電壓 (VF) 具有低溫度依賴性，以便在較高溫度操作中抑制傳導損耗。

PANJIT 的 SiC SBD 第一代器件通過在金屬接觸區域添加 P+層，具有結勢壘肖特基 (JBS) 結構。因此，浪涌電流容量可以顯著提高，這有助于確保冷啟動系統運行的系統級可靠性。

PANJIT 的 SiC SBD 第一代系列具有 650 V 和 1,200 V 的擊穿電壓、4 A 至 20 A 的額定電流以及各種分立封裝，例如 TO-220AC、TO-263 和 TO-252AA。

特性 低傳導損耗 零反向恢復電流 無溫度依賴性的開關操作 高浪涌電流能力 高穩健性 高結溫：+175°C 應用 服務器電源 電信電力 電視電源 PC 電源 PV 逆變器 ESS BMS 家電 電動汽車充電系統 UPS 工業電機