品牌: INFINEON/英飛凌
型號: IPB120N06S4-03
批號: 2020+
封裝: SOT263
數量: 2000
QQ: 495028965
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 是
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TO-263-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續漏極電流: 120 A
Rds On-漏源導通電阻: 2.3 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 160 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 167 W
通道模式: Enhancement
配置: Single
高度: 4.4 mm
長度: 10 mm
系列: OptiMOS-T2
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 9.25 mm
下降時間: 15 ns
上升時間: 10 ns
典型關閉延遲時間: 80 ns
典型接通延遲時間: 40 ns
零件號別名: IPB12N6S43XT SP000415558 IPB120N06S403ATMA1
單位重量: 4 g
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74LVCH2T45GS
UCC28950PWR
LP2981-50DBVR
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SMBJ13CA-TR
TPS53319DQPR
TPS259241DRCR
IRS25752LTRPBF
ISO7741QDWRQ1
TPS65132WRVCR
LTC3639EMSE#PBF
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