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IPB120N06S4-03

發布時間:2022/11/5 16:20:00 訪問次數:60

IPB120N06S4-03

品牌: INFINEON/英飛凌

型號: IPB120N06S4-03

批號: 2020+

封裝: SOT263

數量: 2000

QQ: 495028965

制造商: Infineon

產品種類: MOSFET

RoHS: 是

安裝風格: SMD/SMT

封裝 / 箱體: TO-263-3

晶體管極性: N-Channel

通道數量: 1 Channel

Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V

Id-連續漏極電流: 120 A

Rds On-漏源導通電阻: 2.3 mOhms

Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V

Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V

Qg-柵極電荷: 160 nC

最小工作溫度: - 55 C

最大工作溫度: + 175 C

Pd-功率耗散: 167 W

通道模式: Enhancement

配置: Single

高度: 4.4 mm

長度: 10 mm

系列: OptiMOS-T2

晶體管類型: 1 N-Channel

寬度: 9.25 mm

下降時間: 15 ns

上升時間: 10 ns

典型關閉延遲時間: 80 ns

典型接通延遲時間: 40 ns

零件號別名: IPB12N6S43XT SP000415558 IPB120N06S403ATMA1

單位重量: 4 g

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