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UF4C/SC 第 4 代 SiC FET 系列基于獨特的共源共柵配置，額定電壓為 1200 V，并提供 23 mΩ 至 70 mΩ 選項。這些器件提供出色的性能品質因數 (FoM)，為 1.35 mΩ cm2（RDS(on)x 面積）、0.78 Ω μJ (RDS(on)x Eoss)、4.5 Ω pF (RDS(on)x Coss(tr))、和 0.9 Ω nC (RDS(on)x QG)。它們是電動汽車 (EV) 車載充電器、工業電池充電器、工業電源供應器、太陽能 DC/DC 轉換器以及焊機、UPS 和感應加熱應用中主流 800 V 總線架構的最佳電源解決方案。
基于多個 RDS(on)和可用的封裝選項，這些器件最大限度地提高了設計靈活性和成本效益。產品可以用標準的 0 V 至 12 V 或 15 V 柵極驅動電壓安全地驅動。真正的 5 V 閾值電壓可保持良好的閾值噪聲容限。與前幾代產品一樣，這些 SiC FET 可以在典型的 Si IGBT、Si MOSFET 和 SiC MOSFET 驅動電壓下運行。產品還包括一個內置的 ESD 柵極保護夾。
RDS(on)x 面積 RDS(on)x Eoss RDS(on)× Coss(tr) RDS(on)x QG 使用標準 0 V 至 12 V 或 15 V 柵極驅動電壓安全驅動 ESD 保護，HBM 2 級 在真正的 5 V 閾值電壓下保持出色的閾值噪聲容限 適用于所有 Si IGBT、Si FET 和 SiC FET 驅動電壓 出色的反向恢復 出色的體二極管性能 (VF<2 V) 低柵極電荷 低本征電容 TO-247-3L 和 TO-247-4L 行業標準封裝 應用 車載充電 工業電池充電器 太陽能 PFC 工業電源 焊機 UPS 電感加熱
