制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 2 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續漏極電流: 20 A
Rds On-漏源導通電阻: 29 mOhms, 29 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 16 V, + 16 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.1 V
Qg-柵極電荷: 17.4 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 43 W
通道模式: Enhancement
資格: AEC-Q101
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Infineon Technologies
配置: Dual
下降時間: 13 ns, 13 ns
高度: 1.27 mm
長度: 5.9 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 2 ns, 2 ns
系列: IPG20N10
5000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 2 N-Channel
典型關閉延遲時間: 18 ns, 18 ns
典型接通延遲時間: 3 ns, 3 ns
寬度: 5.15 mm
零件號別名: IPG20N10S4L-35 SP000859022
單位重量: 96.690 mg
CD4051BM96
IS01050DUBR
CD74AC573M96
CD74ACT08M96
LM4819MX/NOPB
UCC27211AQDDARQ1
BQ24040DSQR
TLV62565DBVT
ULN2003ADR
BQ24610RGER
SN27546YPHR-B1
TPS3813J25DBVT
TPS78233DDCR
TL084CDR
LM239DR
BQ24095DGQR
TPS55340RTER
TPS55340PWPR
PGA309AIPWR
LP38503ATJ-ADJ/NOPB
BQ32000DR
BQ32000DR
BQ32000DR
BQ32000DR
TLC5952DAP
FDC1004DSCT
LM75AIMMX/NOPB
LMV358IDR
TPD4S012DRYR
SN75LVDS84ADGGR
XTR105PA
LM4890M/NOPB
DRV8844PWPR
DRV8841PWPR
TLC27L2CD
LM5022MM/NOPB
OPT3001IDNPTQ1
