制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
RoHS: 詳細信息
技術: Si
安裝風格: Through Hole
封裝 / 箱體: TO-220-3
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 100 V
Id-連續漏極電流: 180 A
Rds On-漏源導通電阻: 3.7 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 1.8 V
Qg-柵極電荷: 150 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 175 C
Pd-功率耗散: 370 W
通道模式: Enhancement
封裝: Tube
商標: Infineon Technologies
配置: Single
高度: 15.65 mm
長度: 10 mm
產品類型: MOSFET
1000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
寬度: 4.4 mm
零件號別名: IRFB4110PBF SP001570598
單位重量: 2 g
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L6386D013TR
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S29GL512P10FFI01
S29GL512S11TFI020
S29GL512N10FFI010
R5F21276NFP
S29GL512N10TAI02
SP211CA 接口IC
SP211CA-L
ATA5781-WNQW
R5F21276NFP
R5F212DCSNFP
R5F21266SNFP
R5F21266SNFP
R5F21257SNFP#V2
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A4490EESTR-T 內存芯片
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DA108S1
DA108S
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MAX6126AASA25
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SST39VF080-70-4C-EIE
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F65550/B
F65545B2
PALCE610H-25JC
PALCE610H-15JC
PALCE610H-25PC
PALCE610H-15JC
98DX240-A3-BCW1C000
UAF42AP
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PEX8518-AC25BIG
DCV010505P-U
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K9HCG08U5M-PIB0
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