IRF3205PBF是一款HEXFET®N溝道功率MOSFET,具有極低的導通電阻和快速開關性能.International rectifier的HEXFET®功率MOSFET采用先進的處理技術,以實現極低的導通電阻.這一特點加上HEXFET功率MOSFET的快速開關速度,以及堅固耐用的器件設計,為設計人員提供了一種極其高效和可靠的器件,可用于多種應用.
動態dv/dt額定值
雪崩級別
快速開關
±20V柵-源電壓
應用
電源管理
通道類型 N 晶體管配置 單
最大連續漏極電流 110 A 最大柵源電壓 -20 V、+20 V
最大漏源電壓 55 V 每片芯片元件數目 1
封裝類型 TO-220AB 高度 8.77mm
安裝類型 通孔 寬度 4.69mm
引腳數目 3 晶體管材料 Si
最大漏源電阻值 8 mΩ 最高工作溫度 +175 °C
通道模式 增強 長度 10.54mm
最大柵閾值電壓 4V 系列 HEXFET
最小柵閾值電壓 2V 典型柵極電荷@Vgs 146 nC @ 10 V
最大功率耗散 200 W 最低工作溫度 -55 °C
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