描述
分立半導體產品
FET、MOSFET 陣列
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolSiC™+
包裝
托盤
產品狀態
停產
FET 類型
2 個 N 通道（半橋）
FET 功能
碳化硅（SiC）
漏源電壓（Vdss）
1200V（1.2kV）
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
200A（Tj）
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
5.63 毫歐 @ 200A，15V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
5.55V @ 80mA
不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)（最大值）
496nC @ 15V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
14700pF @ 800V
功率 - 最大值
20mW（Tc）
工作溫度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
底座安裝
封裝/外殼
模塊
供應商器件封裝
AG-EASY2B
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