英飛凌n通道OptiMOS™功率mosfet是一流的功率mosfet，提供最高的功率密度和節能解決方案。超低的柵極和輸出電荷，以及在小占地面積的封裝中最低的通電電阻，是服務器、數據通信和電信應用中要求苛刻的穩壓器解決方案的理想選擇。超高速開關控制fet，加上低EMI同步fet，提供了易于設計的解決方案。英飛凌n通道OptiMOS™功率mosfet提供優異的柵電荷，并為DC-DC轉換進行優化。
OptiMOS™產品以高性能包的形式提供，可以解決最具挑戰性的應用程序，在優化空間、效率和成本方面具有充分的靈活性。OptiMOS™產品旨在滿足并超過計算應用中銳化的下一代電壓調節標準的能源效率和功率密度要求。
參數
Mouser編號：726-BSC600N25NS3GXT
制造商編號：BSC600N25NS3G
制造商：Infineon Technologies
說明：MOSFET N-Ch 250V 25A TDSON-8 OptiMOS 3
制造商: Infineon
產品種類: MOSFET
技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: TDSON-8
晶體管極性: N-Channel
通道數量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 250 V
Id-連續漏極電流: 25 A
Rds On-漏源導通電阻: 50 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 20 V, + 20 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 2 V
Qg-柵極電荷: 29 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 125 W
通道模式: Enhancement
商標名: OptiMOS
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標: Infineon Technologies
配置: Single
下降時間: 8 ns
正向跨導 - 最小值: 25 S
高度: 1.27 mm
長度: 5.9 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 10 ns
系列: OptiMOS 3
工廠包裝數量: 5000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
類型: OptiMOS 3 Power-Transistor
典型關閉延遲時間: 22 ns
典型接通延遲時間: 10 ns
寬度: 5.15 mm
零件號別名: SP000676402 BSC6N25NS3GXT BSC600N25NS3GATMA1
單位重量: 100 mg
特性
優化的SyncFET用于高性能降壓轉換器
100%雪崩測試
n溝道
極低通電阻RDS(on) @ VGS=4.5V
對于給定RDS(on)的超低柵極(Qg)和輸出電荷(Qoss)
符合JEDEC要求的目標應用
優越的耐熱性
Pb-free電鍍;通過無鉛認證
不含鹵素，符合IEC61249-2-21
應用
服務器的板載電源
用于高性能計算的電源管理
同步整流
負載變流器的高功率密度點
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