類型 描述 選擇
類別
分立半導體產品
單 FET，MOSFET
制造商
Infineon Technologies
系列
SIPMOS®
包裝
卷帶（TR）
剪切帶（CT）
Digi-Reel® 得捷定制卷帶
產品狀態
在售
FET 類型
P 通道
技術
MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）
60 V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)
2.9A（Ta）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）
130 毫歐 @ 2.9A，10V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）
4V @ 1mA
不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)（最大值）
33 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）
875 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.8W（Ta）
工作溫度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型
表面貼裝型
供應商器件封裝
PG-SOT223-4
封裝/外殼
TO-261-4，TO-261AA
基本產品編號
BSP613
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SAK-TC222S-16F133N AC
IPT60R050G7
BSP613PH6327
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