技術: Si
安裝風格: SMD/SMT
封裝/外殼: PowerPAK-1212-8
晶體管極性: N-Channel
通道數: 1 Channel
Vds - 漏-源擊穿電壓: 30 V
Id - C連續漏極電流: 40 A
Rds On - 漏-源電阻: 2.05 mOhms
Vgs - 閘極-源極電壓: - 16 V, + 20 V
Vgs th - 門源門限電壓 : 1 V
Qg - 閘極充電: 77 nC
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
Pd - 功率消耗 : 52 W
通道模式: Enhancement
公司名稱: TrenchFET, PowerPAK
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
品牌: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降時間: 10 ns
互導 - 最小值: 105 S
高度: 1.04 mm
長度: 3.3 mm
產品類型: MOSFET
上升時間: 17 ns
系列: SIS
原廠包裝數量: 3000
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 N-Channel
標準斷開延遲時間: 25 ns
標準開啟延遲時間: 24 ns
寬度: 3.3 mm
零件號別名: SIS476DN-GE3
每件重量: 1 g