IPW65R110CFDA

類型 描述 選擇

類別 分立半導體產品 單 FET，MOSFET

制造商 Infineon Technologies

系列 Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™

包裝 管件

產品狀態 在售

FET 類型 N 通道

技術 MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss） 650 V

25°C 時電流 - 連續漏極 (Id) 31.2A（Tc）

驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 10V

不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值） 110 毫歐 @ 12.7A，10V

不同 Id 時 Vgs(th)（最大值） 4.5V @ 1.3mA

不同 Vgs 時柵極電荷(Qg)（最大值） 118 nC @ 10 V

Vgs（最大值） ±20V

不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值） 3240 pF @ 100 V

FET 功能 -

功率耗散（最大值） 277.8W（Tc）

工作溫度 -40°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型 通孔

供應商器件封裝 PG-TO247-3

封裝/外殼 TO-247-3

基本產品編號 IPW65R110

BD42540FJ-CE2
BSM300C12P3E201
BTS3410G
CKS32F030K6T6
DRV8323HRTAR
FSL116HR
FX32K142HAT0MLHR
IPD50P04P4-13
IPW65R110CFDA
LM9036QMM-3.3PB
LMR36503RS3QRPERQ1
LSF0204PWR
LTC6804HG-1#3ZZTRPBF
MAX17823BGCBL/V+T
MLX90360LDC-ACD-000-RE
NCP692MN33T2G
NTJD5121NT1G
NTRV4101PT1G
OPA210IDR
R7F7010234AFP#BA4