標準包裝 100
類別 繼電器 ALE15B12
家庭 功率繼電器，高于 2 A
系列 ALE
包裝 散裝
繼電器類型 通用
線圈類型 無鎖存
線圈電流 33.3mA
線圈電壓 12VDC
觸頭外形 SPST-NO（1 A 型）
額定接觸（電流） 16A
開關電壓 277VAC - 最小值
導通電壓（最大值） 9 VDC
關閉電壓（最小值） 0.6 VDC
特性 絕緣 - B 類
安裝類型 通孔
端子類型 PC 引腳
觸頭材料 銀錫氧化物（AgSnO）
工作時間 20ms
釋放時間 20ms
線圈功率 400 mW
線圈電阻 360 歐姆
工作溫度 -40°C ~ 85°C

臺積電正多管齊下打造兼顧效能與功耗的新世代處理器。為優化處理器性能并改善晶體管漏電流問題，臺積電除攜手硅智財業者，推進鰭式晶體管 (FinFET)制程商用腳步外，亦計劃從晶圓導線(Interconnect)和封裝技術著手，加速實現三維芯片(3DIC)；同時也將提早布局新一代 半導體材料，更進一步提升晶體管傳輸速度。

　　臺積電先進組件科技暨TCAD部門總監CarlosH.Diaz提到，臺積電亦已開始布局10奈米制程，正積極開發相關微影技術。

　　臺積電先進組件科技暨技術型計算機輔助設計(TCAD)部門總監CarlosH.Diaz表示，由于行動處理器須兼具高效能、低功耗價值，且每一代產品更迭迅速，因此晶圓廠已不能單純從制程微縮的角度出發，必須著眼晶圓制程相關的各個環節，方能滿足IC設計業者需求。基于此一概念，臺積電將同步改良晶體管、導線及封裝結構，以提高芯片晶體管密度、傳輸速度，并降低漏電流。

　 　Diaz指出，臺積電將一改過去花2年時間跨入下一個制程世代的規劃，2014年發表20奈米(nm)方案后，將提早1年在2015年推出16奈米 FinFET，以3D結構增加晶體管密度并減少漏電流情形。該公司正攜手安謀國際(ARM)、Imagination推動FinFET試產，并加緊研發水 浸潤式微影(WaterImmersionLithography)雙重曝光(Double-patterning)技術，以及極紫外光(EUV)單曝光 (SingleExposure)，期提早跨越量產成本門坎。

　　Diaz也透露，就目前與Imagination的技術合作進展來看，預 估2015年16奈米FinFET正式上市后，相較于現有28奈米處理器，內建GPU將達到十倍以上的每秒浮點運算次數(FLOPS)，并將擴增四倍以上 頻寬，有助在更小的GPU單位面積下，激發更多運算效能。

　　至于晶圓導線和封裝結構部分，臺積電也計劃以2.5D/3DIC方案，克服高 密度芯片整合、散熱和連接功耗等問題。Diaz強調，平面式芯片已逐漸面臨效能、功耗改善的瓶頸，晶圓廠須取法3D晶體管概念，利用硅穿孔(TSV)等封 裝技術革新，達成芯片子系統堆棧設計；同時還須針對晶圓后段導線制程(BEOL)導入新一代低介電常數(LowK)材質，以縮減金屬導線互連的電阻電容延 遲(RCDelay)。