安裝風格: Through Hole
封裝/外殼: TO-126-3
晶體管極性: NPN
配置: Single
集電極-發射極最大電壓VCEO: 300 V
集電極-基極電壓VCBO: 300 V
發射機-基極電壓VEBO: 5 V
集電極-發射極飽和電壓: 600 mV
集電極最大直流電流: 100 mA
Pd - 功率消耗 : 7 W
增益帶寬積 fT: 150 MHz
最低工作溫度: - 55 C
最高工作溫度: + 150 C
系列: KSC3503
封裝: Bulk
品牌: onsemi / Fairchild
連續集電極電流: 0.1 A
直流集電極/增益 hfe 最小值: 40
直流電最大增益hFE: 320
高度: 11 mm
長度: 8 mm
產品類型: BJTs - Bipolar Transistors
原廠包裝數量: 2000
子類別: Transistors
技術: Si
寬度: 3.25 mm
零件號別名: KSC3503DS_NL
每件重量: 761 mg