富士IGBT模塊2MBI150U4B-120-50 ，公司大量現貨
品牌：富士
型號：2MBI150U4B-120-50
圖1-105所示是單抽頭式響度控MY2Z-02-12V制器電路，屬于開關控制式電路。開關Sl為響度開關，圖示位置具有補償作用，置于另一位置時無補償作用。這一電路對低音和高音均有提升作用。
圖1-105單抽頭式響度控制器電路
高音提升電路分析
電路中，電容Cl構成高音提升電路，由于Cl對高頻信號的容抗較小，故輸入信號中高音成分經Cl，由電位器抽頭送到RP1抽頭處，而其他頻率信號Cl呈高阻抗，從RP1上端送到RP1動片的衰減較大。這樣相對提升了高音信號。
低音提升電路分析
Rl、C2構成低音提升電路，該電路對低音信號的阻抗較大（中音信號阻抗較小），這樣相對中音而言低音得到提升。
RP1是音量控制器，響度補償未設專門控制電位器。抽頭點至地端的電阻占RP1全部阻值1/4～1/3，抽頭點離地端近，對低、高音提升量有利。
當動片滑至抽頭處時，提升量達到最大。音量逐漸開大（動片往上滑動），提升量逐漸減小。
路對高頻信號阻抗小，輸入信號經該電路送到低放電路中，當RP1動片滑向地端時（音量減小），R2、Cl電路提升作用更加明顯。
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